當(dāng)前工藝已經(jīng)進(jìn)入7nm FinFET 時(shí)代（如：蘋果A13處理器、華為麒麟980處理器、高通驍龍855處理器），結(jié)合20年工業(yè)界Foundry服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，我們推出了7nm微納電子器件教學(xué)套件，縮小高校教學(xué)與工業(yè)界的gap。
該套件包含如下內(nèi)容
1. 真實(shí)工業(yè)數(shù)據(jù)虛擬化的器件和典型電路單元：7nm FinFET；HEMT GaN；28nm & 180nm NMOS&PMOS；LDMOS；TB SOI&FD SOI；NPN&PNP BJT；Diode；Resistor；Capacitor；Varactor；JFET；TFT；SRAM；RO
2. 虛擬化測試儀器源測試單元：測量器件的IV特性
LCR Meter：測量器件的CV特性
3. 虛擬化測量環(huán)境外界溫度：可進(jìn)行高低溫測試
測量時(shí)間：用于可靠性測試如HCI，NBTI等
輻照劑量：器件在空間應(yīng)用的相關(guān)特性
4. 支持情況
完整支持器件測量實(shí)驗(yàn)課的軟硬件設(shè)施和全套實(shí)驗(yàn)教材
5. 支持課程：工業(yè)級半導(dǎo)體器件測試
課程大綱/42學(xué)時(shí)
| 1：器件測量設(shè)備及其原理 | 2：器件測試腳本語法分析與實(shí)驗(yàn) |
| 3：二極管IV特性測量實(shí)驗(yàn) | 4：二極管CV特性測量實(shí)驗(yàn) |
| 5：BJT輸入特性測量實(shí)驗(yàn) | 6：BJT輸出特性測量實(shí)驗(yàn) |
| 7：半導(dǎo)體擴(kuò)散電阻測量實(shí)驗(yàn) | 8：JFET轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn) |
| 9：JFET輸出特性測量實(shí)驗(yàn) | 10：JFET柵電流特性測量實(shí)驗(yàn) |
| 11：TFT轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn) | 12：TFT輸出特性測量實(shí)驗(yàn) |
| 13：半導(dǎo)體電容器CV測量實(shí)驗(yàn) | 14：MOS變?nèi)萜鰿V特性測量實(shí)驗(yàn) |
| 15：180nmNMOS轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn) | 16：180nmNMOS輸出特性測量 |
| 17：180nmNMOS襯偏特性測量實(shí)驗(yàn) | 18：180nmNMOS襯底電流測量 |
| 19：180nmNMOS電容特性測量實(shí)驗(yàn) | 20：SRAM存儲器測量實(shí)驗(yàn) |
| 21：環(huán)形振蕩器測量實(shí)驗(yàn) | 22：FDSOI轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn) |
| 23：FDSOI輸出特性測量實(shí)驗(yàn) | 24：PDSOI轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn) |
| 25：PDSOI輸出特性測量實(shí)驗(yàn) | 26：PDSOI柵電容測量實(shí)驗(yàn) |
| 27：PDSOI溝道電容測量實(shí)驗(yàn) | 28：28nmNMOS轉(zhuǎn)移特性測量 |
| 29：28nmNMOS輸出特性測量 | 30：28nmNMOS柵電流特性測量 |
| 31：28nmNMOS襯底偏置特性測量 | 32：28nmNMOS襯底電流測量 |
| 33：28nmNMOS DIBL特性測量 | 34：28nmNMOS電容特性測量實(shí)驗(yàn) |
| 35：FinFET轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn) | 36：FinFET輸出特性測量實(shí)驗(yàn) |
| 37：FinFET Isub和Ig特性測量實(shí)驗(yàn) | 38：GaN轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn) |
| 39：GaN輸出特性測量實(shí)驗(yàn) | 40：LDMOS轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn) |
| 41：LDMOS輸出特性測量實(shí)驗(yàn) | 42：LDMOS電容特性測量實(shí)驗(yàn) |
